研究人员期待硅半导体替代

2013年11月12

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研究人员在美国相信他们已经克服的一个主要障碍在发展中一个功能替代硅半导体。

硅半导体是无处不在,现代电子产品但这些设备有局限性,包括未能正常运作在非常高的温度。

一个有前途的替代是一个半导体由铝和氮形成氮化铝(AlN),这是更强大和更稳定的比它的对手,可功能硅在较高的温度下,是压电,是透明的,可以发出,可见光。

传统工艺生产运行温度是层高达1150摄氏度,并提供有限的控制层的厚度。现在一个新的技术是声称提供了一种方法来生产高质量的氮化铝(AlN)层厚度和一半的原子尺度的温度的其他方法。

处处长Neeraj尼泊尔和同事的美国海军研究实验室在华盛顿特区,是形成使用原子层外延层(ALE),材料是“成长”一层层地由顺序雇两个自限性到表面化学反应。

“例如,你成长氮化铝将注入脉冲的铝前体进入增长区域,它将外套所有表面,”尼泊尔在一份声明中说。

在清除多余的铝前体吓跑,将“构建”水晶通过注射脉冲的氮前体进入增长区域,它与铝前体反应在表面形成一层AlN。然后你会清除任何多余的氮和反应产物掉并重复这个过程。

在这一过程中,科学家制造了一种材料品质,类似在更高温度下合成,但在条件允许它被集成在新的方式为制造设备的技术,如晶体管和开关。

尼泊尔说这项工作扩大潜在的新的先进的特种材料,可以用于包括下一代高频射频电子产品,比如那些用于高速数据传输和手机服务。

工作描述在应用物理快报》上一篇《,外延生长的用途AlN电影通过原子层外延。

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