游隼介绍UltraCMOS®10技术

RF SOI先锋,游隼半导体推出了其UltraCMOS 10平台。

这是最新的进步在游隼的UltraCMOS技术。UltraCMOS 10 RF SOI同时提供灵活性和无与伦比的性能来应对不断增长的挑战的射频前端设计。它提供了性能的技术与经济的UltraCMOS SOI,它提供了一个超过50%的性能改进方案可比。

游隼的多才多艺,新130海里UltraCMOS 10技术提供支持所需的最新一代的lte先进智能手机,第一次,将允许该公司提供3 g智能手机的价格竞争力的产品。

游隼是增强一个长期关系,利用一个新的Soitec UltraCMOS 10介绍半导体材料的突破,加上“自定义GLOBALFOUNDARIES一级外事局制造流程。保罗Boudre,首席运营官Soitec说,“我们很高兴Soitec半导体材料的革命性的工程支持外来的下一代UltraCMOS 10技术。”

阿Manocha首席执行官GLOBALFOUNDRIES描述协作与外来如下:“寻求合作伙伴领导人GLOBALFOUNDRIES市场类别,我们很高兴有机会一起工作起来游隼半导体。我们共同合作开发一个自定义的流程来帮助外来的新UltraCMOS 10代真正的前沿进展。”RF SOI

智能手机制造商面临许多艰难的设计挑战,包括平衡性能需求与成本和维护消费者的信号质量和数据速率的速度尽管越来越多的频带和体积的数据。移动专家”的首席分析师无线接入和射频半导体乔麦登提供他的观点的挑战和增长曲线的智能手机市场,通过阐述,“iPhone 5 s有超过两倍的频率乐队比iPhone 5,这就是其中的一个例子的需求显著增加智能手机部件。LTE单位预计从1.5亿年的2012增长到12亿年的2018(42% CAGR)。“游隼的UltraCMOS 10技术将超过这些增加的性能需求,消费者将继续看到改进的连接。

UltraCMOS的10 130海里代送行业最好的罗恩COFF性能并改进性能和可伸缩性。罗恩COFF的品质因数的比例是多少损失发生在无线电信号经过一个开关的开关状态(罗恩,或在电阻)和无线电信号泄漏多少通过电容器在其关闭状态(COFF,或关闭电容)。罗恩COFF的性能指标为113 fsec UltraCMOS 10技术。这是一个五倍改善第一代游隼10年前发布的。它代表了外来的专家建议使用一流的工程方法和材料,较低的插入损耗,同时又不牺牲隔离性能。除了改善罗恩COFF性能,UltraCMOS 10平台利用游隼的专利设计技术,它提供了线性超过75 dBm在900 MHz和等同于更高的数据速率和改善消费者的共存。

吉姆电缆,首席执行官在游隼半导体,总结游隼的最新里程碑如下:“游隼是应用25年的RF SOI知识提供市场的一体化程度最高的射频前端设计能力。UltraCMOS 10技术提供业内最高的性能处于竞争成本。这个平台加强了游隼的承诺,不断创新和荣誉我们遗留的交付最好的方案,为我们的客户。”

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