船型开关TriQuint声称半导体突破

TriQuint半导体生产行业的第一个氮化镓(GaN)晶体管使用氮化镓在金刚石圆片承诺大幅降低半导体的温度,保持了高射频性能。

根据TriQuint,其突破性技术使新一代的射频放大器三次或三次小的力量,今天的甘肃的解决方案。

操作温度很大程度上决定了高性能半导体可靠性。这是特别关键的设备,有能力的氮化镓功率密度非常高。

“通过增加热导率和减少设备温度,我们启用新一代的设备,可能远GaN小于今天的产品。这给重要的射频设计和运营方面的好处对我们的商业和国防客户,”詹姆斯·l·克莱恩,TriQuint的副总裁和总经理对基础设施和防御产品。

TriQuint展示了其新的gan钻石、高电子迁移率晶体管(HEMT)会同伙伴的布里斯托尔大学的Group4实验室和洛克希德马丁公司在美国国防高级研究计划局(DARPA)附近结热运输(NJTT)程序。

NJTT是第一个主动DARPA的新的“嵌入式冷却的程序,包括ICECool基本面和ICECool应用研究和开发活动。NJTT关注设备热阻的路口附近的晶体管。

热电阻内部器件结构可以负责50%以上的正常操作温度增加。TriQuint的研究表明,氮化镓射频设备可以工作在更高的功率密度和在较小的尺寸,通过其高效的热管理技术。

TriQuint的突破包括成功转移一个半导体外延叠加到一个人造金刚石衬底,提供一个高的热导率和较低的热边界阻力,同时保护临界氮化镓晶体层。

这一成就是声称是第一个证明的可行性钻石gan HEMT设备。结果表明TriQuint实现主要的日期NJTT 3倍的目标改善散热,同时保留射频功能;这一成就支持减少功率放大器输出功率大小或增加由三个因素造成的。

额外的加工改进和广泛的设备测试正在进行中,以优化外延层转移过程,充分描述的增强可以达到的这些新HEMT设备。http://www.cenxn.com

船型开关TriQuint声称半导体突破

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