青岛船形开关联电和SuVolta开发28 nm低功耗过程

联华电子和SuVolta宣布联合技术开发的一个集成的28 nm制程过程的深入SuVolta耗尽通道(DDC)晶体管技术进入联电的28 nm制程高k金属门(HKMG)高性能移动(过程)过程。

SuVolta和联电正在共同努力利用实现DDC晶体管技术来降低泄漏功率和提高SRAM低压性能。

这些公司还宣布,这个过程技术将实现一个高度灵活的采用的方法:

一个“DDC PowerShrink低功耗平台”选项为终极力量和性能优势,所有晶体管利用直接数字控制技术

一个“DDC DesignBoost晶体管互换”选项,适用于现有设计数据库的一个子集,晶体管取代DDC晶体管。典型的应用程序的这个选项是拆卸leakier晶体管晶体管可以减少漏DDC,或取代静态存储器晶体管晶体管bitcell与DDC提高性能和较低的最低工作电压(Vmin)

“在接下来的几周和几个月,我们期望看到前途的结果从联合技术开发与SuVolta进一步验证功率和性能优势的技术在联电DDC的28 nm HKMG过程,”副总裁T.R.紫杉先进技术部门联电。“通过合并SuVolta的先进技术进入我们HKMG过程,我们打算提供一个28 nm移动计算过程来补充我们现有的平台和HKMG技术聚锡安。”

联电和SuVolta团队继续让优秀的进步技术的集成DDC联电28 nm制程过程。一起工作,我们正在开发一个过程,使易于移植联华电子的客户的设计,“说,总裁兼首席执行官布鲁斯•威廉姆斯SuVolta的。“此外,SuVolta是推进未来的移动设备通过提供行业替代更昂贵的和技术上的挑战过程技术。”

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