先进的电力电子释放超小p沟道mosfet凤岗船型开关

先进的电力电子产品已经推出了一个新的p沟道增强型功率MOSFET,AP2325GEU6-HF-3,非常适合使用在应用程序(如负荷开关。

结合快速交换、低导通电阻和成本效益,MOSFET据说是使用简单,有一个低门电荷。

它的特性包括一个最低漏源击穿电压(BVDSS)的-20 v、最大RDS(在)145 mohms以及最大的连续漏电流(ID)在25摄氏度时的-1.8一个。

拉尔夫Waggitt评论,总裁/首席执行官、高级电力电子集团(美国):“这些先进的功率场效应管可以在流行的RoHS /达到兼容的,无卤索- 363超小,表面包被广泛用于商业和工业应用中的一个小板足迹是必需的。”

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