理查森RFPD介绍MicroSemi 650 v IGBTs

理查森RFPD,引入了三个新的650 v non-punch-through,NPT insulated-gate双极晶体管(IGBTs)Microsemi和全力支持。

新设备的最新Microsemi之外的家庭45到95 IGBTs。

这些超高速650 v NPT IGBTs代表了最新一代的Microsmi IGBTs优化优秀强度和最佳传导和切换损失之间的权衡。

低饱和压降低、尾电流、短路评级,高频开关和极低的泄漏电流。他们还允许开发人员系统总成本减少使用它们来取代更昂贵的600 v到650 v mosfet在低速度工业应用150千赫。

整个家庭的650 v和650 v NPT IGBTs利用Microsemi前沿功率MOS 8技术并创建新基准IGBT效率。

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