ICs扩展频谱的两端

外来UltraCMOS被越来越多地用于许多射频的发展,该公司已经发现了需要开发的技术频率限制直流和进一步扩展到微波地区。

游隼已经率先使用UltraCMOS蓝宝石上硅技术,发现它已经能够提供改进的性能比其他技术包括砷化镓、砷化镓、硅锗,锗硅,和批量CMOS。

大多数技术领域他们执行特别好。砷化镓为例给出了微波应用高频率响应好,锗硅具有很高的频率上限,大部分CMOS逻辑和低频射频应用是理想的。游隼已经能够实现是使用什么UltraCMOS提供同等水平的性能,这些个人技术,但是使用一个单一的技术。公司状态,允许多个函数没有妥协的单片集成电路性能。

SOI技术使最好的CMOS技术的使用。CMOS很重复,耗电小,建立制造技术。蓝宝石绝缘子的主要优势,它提供了一个损失比铝低一个数量级,经常使用。结合SOI CMOS技术为高度集成多功能集成电路提供了理想的平台能够提供高水平的性能在射频和微波同时仍然能够集成逻辑以及其他功能需要小功率是一个关键的要求任何电池电力设备如手机。

使用UltraCMOS技术,游隼引入了新的芯片扩展到微波的频率限制地区和直流。

微波地区进入一个新的x波段核心芯片(PE82670)介绍了。这包括一个6位移相器,一个六位数字衰减器,射频路径转换和串行总线接口。这个芯片是针对雷达应用程序,它可以用于相控阵雷达系统中,它们包含在数组本身——这里大小和性能是关键。传统的薄膜技术在砷化镓增益和移相器可以使用交换机和串行并行转换器是必要的。这些自然占据更多的空间,而且非常昂贵。他们也有不可靠的声誉。新PE82670 x波段核心芯片能够改进性能,同时降低成本和规模以及提高可靠性。

为将来这种技术可以用来提供芯片旨在5 g的发展,预计20 ghz频率和更高的预计将被使用。

在一方面,游隼已经引入了一个新的射频开关指定PE42020。在这个芯片频率响应一直延伸到0赫兹,这不是以前的老技术。新的性能改进和扩展范围允许开关取代继电器。以前机电继电器一直的唯一可行的选择频率响应扩展为0赫兹一直要求。新PE42020之间能够操作切换0赫兹和8 GHz的上限。

基于场效应晶体管的射频开关的问题,有必要两门到源克服固有的扭曲。使用一个电容器,电容器性能的低频率下降电抗增加。游隼已经开发出一种专有的混合信号的方法来克服这个问题和扩展频率直流而不影响高频性能。

这种新技术有效地结合之前会要求固态逻辑、机械继电器或MEMS技术使用UltraCMOS成一个芯片技术。

引入这些新产品展示的多功能性UltaCMOS技术和方式似乎相当路线图之前,它的未来。

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