硅电容式西装超宽带系统

从IPDiA的UBSC ultra-broadband硅电容系列提供了出色的ultra-broadband性能和可靠性。

这使得这些电容器理想的应用程序需要在很宽的带宽。这些基于硅电容适合应用程序包括光电/高速数据、trans-impedance放大器(TIA)、收发光学装配工作(罗莎/斗犬),同步光纤网络(SONET,以及宽带测试设备和宽带微波/毫米波)。

UBSC电容器适用于直流阻断,反馈,在所有宽带光电耦合和绕过应用和高速数据系统。独特的硅帽技术集成在硅由IPDiA被动元器件,提供独特的表演从16千赫至60 GHz:

超低插入损耗(0.5 dB);

平坦的频率响应;

优秀的回波损耗;

没有相位不连续;

低介电吸收(0.1%)相比,NP0 / X7R;

优秀的稳定温度(+ / - -0.5%从-55年到150°C)和直流电压(0.1% / V)。电容值稳定甚至在16赫兹;

没有交流失真由于低零压电效应;

优秀的可靠性超过X7R陶瓷10倍(配合);

可靠的和可重复的UBB表演由于与高温固化完全控制生产线(900°C以上)生成一个高度纯氧化物。

这些超宽带电容器在硅超深沟已经开发使用半导体过程使沟MOS电容器提供高的集成电容值100 nf 100年µm低调0402 SMT。由于下面垫组件的定位,可以减轻传输线的阻抗不连续。

“市场是不断转移到更高的数据传输速率和需要越来越多的高性能ultra-broadband组件。100年nf / 0402 UBSC ultra-broadband Si帽被设计为客户服务ultra-broadband市场需要杰出的表现从16千赫至60 GHz,典型的< 0.5 dB的插入损耗和11 VDC的击穿电压。UBSC系列提供优秀的回波损耗和unit-to-unit性能可重复性。”奥利维尔Gaborieau说,射频IPDiA产品线经理。

UBSC系列符合标准阻抗装配规则,使产品完全兼容高速自动拾起并定位制造业务。大小的0201年和0603年也可以。UBSC电容器通过无铅认证,可用ENiG终止妊娠。

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