SiC MOSFET高压工业应用

理查森RFPD宣布的可用性和完整的设计支持功能新1200 v,32,80从Microsemi mΩSiC MOSFET。

APT40SM120J是建立在Microsemi的专利原文如此MOSFET技术,哪些特性最佳RDS(上)与温度、超低门阻力最小化切换能量损失,优越的最高开关频率,突出强度与优越的短路承受。

APT40SM120J是适合PFC和其他提高转换器,巴克转换器,两个开关(不对称桥)转换器,单开关转换器,回程转换器,逆变器和其他高压工业应用。

主要特点包括:

漏源极击穿电压(V(BR)DS):1200 V

连续漏电流(ID @ TC = 25ºC):32

连续漏电流(@ TC ID = 100ºC):23

漏源极电阻(RDS()@ TJ = 25ºC,vg = 20 v,ID = 20):80 mΩ

包:说- 227

跷板开关http://www.cenxn.com