红外StrongIRFETs扩大家庭

国际整流器扩大StrongIRFET家庭包括20-30V设备等应用高性能计算和通讯

家庭是标题的IRL6283M 20 v DirectFET具有超低开态电阻(Rds())。

IRL6283M特性Rds(上)只有500µOhm 30平方毫米(典型的)低调DirectFET®中可以包来显著减少传导损失。

这使它适合活跃打鼾和电子保险丝(eFuse)应用程序。可以使用新设备从3.3 v,5 v、12 v rails并提供低15%损失20比最好的选择PQFN设备在同一30平方毫米形式因素,使设计师能够减少一部分计数高电流应用。

与整个DirectFET家族一样,IRL6283M允许船壳冷却增强和热性能和导线bond-free建设提高可靠性。

此外,DirectFET包符合RoHS要求,比如一个完全无铅材料清单是适合长生命周期设计。选择高性能包特性高铅模高度下RoHS豁免7(a)将于2016年到期。

红外StrongIRFET家族还包括PQFN设备行业标准的足印在环保包功能,无铅,通过无铅认证材料清单。

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