大规模生产15海里的NAND闪存记忆开始

在所有集成电路特征尺寸缩小,更小的尺寸被推出。较小的特征尺寸带来许多优势更大程度的一体化,降低功耗对于一个给定水平的功能。

最新的一个介绍来自东芝已开发并推出了15-nanometre(nm)过程技术。这将是用于生产2-bit-per-cell 128 -千兆(16字节)的NAND闪存记忆。公司报告说,他是世界上第一个15 nm制程技术。

在其声明中,该公司表示,它将开始大规模生产的新技术在2014年4月底工厂5四日市操作,东芝的闪存芯片工厂。这里它将取代第二代19 nm制程技术。第二阶段的工厂5目前在建,和新技术也将部署。

东芝表示,使用新的15纳米闪存芯片制造过程实现相同的写入速度与第二代芯片形成19 nm制程技术,但提高每秒533 mb的数据传送速率快1.3倍,利用高速接口。

为了保持发展的势头和改善生产的芯片,东芝表示,它是应用15 nm制程技术3-bit-per-cell芯片,它的目标是在2014年6月之前开始生产。

除了基本的闪存、东芝表示,将制定嵌入式并行NAND闪存控制器并介绍3-bit-per-cell为智能手机和平板电脑产品。这个阶段完成后,它将范围扩展到笔记本电脑通过开发一个控制器与固态硬盘兼容。

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