克里族声称塑料包装GaN HEMTs最高权力

克里族介绍了该行业的最高功率连续波(CW)GaN HEMT射频晶体管封装在一个dual-flat no-leads(DFN)格式。

厂商针对子- 100 w商业雷达和数据链路放大器细分市场,新的6 - 25瓦DFN晶体管有效淘汰低效的使用砷化镓晶体管在C - x波段频率,也让短暂的生命的实际替代传统显像管商业雷达技术应用,如天气、海洋和监测。

基于的克里族40 v 0.25µm门长度高频过程,氮化镓DFN晶体管提供砷化镓IMFETs举行PSAT效率和晶体管获得的两倍小的包大小近20倍,类似的功率和频率。

在企业中使用高容量微波数据链接,点对点和机载通信网络,新晶体管扩展通信范围而交付GaAs-based放大器的线性效率的两倍。这个更高的效率给射频设计师所需的灵活性降低放大器的大小和重量,创造巨大的储蓄在操作和总生命周期成本。

“多年来,商业微波雷达发射机与显像管的妥协领域生活困扰放大器携带巨大的维护成本。从历史上看,高容量的数据链接仅限于使用低效的砷化镓IMFETs,”汤姆说德克,射频销售和营销主管克里族,Inc .)“通过提供卓越的效率和功率能力在一个合理的价格,我们的新GaN DFN晶体管首次启用这些遗留的替代技术在低功率,降低成本的商业系统方案。”

据该公司介绍,新DFN设备使优秀的司机CGHV96100和CGHV96050F2 fully-matched FETs x波段,使产出和晶体管驱动阶段运营铁路从相同的电压。这允许方便,调节配电节约板空间与混合电压晶体管排队。

跷板开关http://www.cenxn.com