英飞凌第五代1200 V碳化硅肖特基二极管

英飞凌科技推出了第五generation1200V thinQ !碳化硅肖特基二极管。

该公司声称新超低正向电压1200 v碳化硅二极管特性即使在操作温度,超过100%改善冲击电流能力和优良的热行为。

这些特性导致显著的效率改善和健壮的操作在太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、三相smp(开关模式电源)和电机驱动器。

“第五代”碳化硅二极管使用一个新的芯片设计紧凑,实现了合并在肖特基cell-field pn结工程。

这使得每个芯片面积较小的微分电阻。因此,二极管的损失减少30%比前代可以实现;例如,在前端增加为三相太阳能逆变器操作与满载20 khz。

在150°C的结温,典型的正向电压只有1.7 v,这是比上一代少30%。这是市场上最低的正向电压为1200 v碳化硅二极管。因此,新碳化硅二极管尤其适合应用程序操作在相对较高的负载(如UPS系统。此外,即使在低开关频率提高系统效率。

根据二极管电流评级,冲击电流能力现在标称电流的额定14倍确保强劲的二极管操作在应用程序当前的事件。这使得消除一个旁路二极管,从而减少复杂性和系统成本。

“新一代5碳化硅二极管突显英飞凌的目标交付产品,为消费者提供了机会获得最高效率的设计。二极管减少损失,更大范围的开关频率可以解决,而可靠性扩展是由于增加的冲击电流能力,”罗兰说石碑,营销总监IGBT在英飞凌科技和SiC权力分立器件。最新一代的英飞凌的碳化硅肖特基二极管是一大进步开发前途的碳化硅材料的潜能。”

实现新1200 v thinQ !碳化硅肖特基二极管结合英飞凌的一流1200 v Highspeed3 IGBT在促进和功率因数校正(PFC)增加了系统级拓扑带来显著的好处。不仅二极管中的损失减少,而且Highspeed3 IGBT的性能改善是由于减少刺激损失(导致较小的散热器或提高效率),降低EMI(较小的成本效益的EMI滤波器)解决方案相比,使用传统的硅二极管。

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