半桥评估板简化GaN晶体管电路设计

GaN系统、氮化镓功率晶体管的制造商,宣布其新的网格状的评估板展示了性能的氮化镓增强型功率半导体的功率电路。

功能齐全的GS66508T-EVBHB Eval董事会很容易配置到任何一半bridge-based拓扑,包括增加和巴克模式。Eval董事会有一个快速启动指令指导和YouTube视频链接已经安装在几分钟内启动并运行。Eval板可用于同步提升或巴克转换,以及脉冲开关晶体管波形进行评估。装备有完整的文档,包括材料清单组成部分的数字,PCB布局和热管理和栅极驱动电路参考设计也是有用的系统工程师在他们的产品中使用。

旨在为电气工程师提供一个完整的功率级工作,评估板由两个650 v,30 GS66508T GaN场效应晶体管,半桥门司机,门驱动电源和散热片。甘GS66508T高功率晶体管是基于系统的岛技术和其650 v家族属于高密度设备实现极其高效能源转换与快速切换的速度> 100 v / nS和超低热损失。

GaN系统唯一一家已经开发和productised全面组合的氮化镓功率晶体管电压评级100 v和650 v,电流评级从7 - 250。GaN系统岛技术模具设计,加上极低的电感和热效率GaNPX包装,提供与45 x改善氮化镓场效应晶体管开关和导电性能比传统的硅mosfet和igbt。

30 / 55 mΩGS66508T氮化镓功率晶体管是near-chip-scale船壳和冷却特性,thermally-efficient GaNPX包装。功率转换效率98.7%至1.5 kw所示产品文档,可以复制在主人的实验室。

Eval董事会提供了输出功率电感和电容的足迹允许用户配置板成期望的提高或巴克运作模式。提供访问晶体管结温热电偶垫和热感摄像机成像港口。应该9 vdc电源输入12 vdc的绝对最大15 v。车载稳压器创建+ 5 v逻辑电路和门驱动器+ 6.5 v。有三种操作模式:脉冲测试模式;美元/标准半桥模式,推动模式。

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