异构SiP设备集成HBM2 DRAM和fpga

阿尔特拉近日公布了一异构System-in-Package(SiP)设备集成堆放高带宽内存(HBM2)从SK海力士与高性能Stratix 10 fpga和出类拔萃。

Stratix 10 DRAM SiP代表一个新类的设备,具体架构在高性能系统满足要求内存带宽的要求。

Stratix 10 DRAM SiP将提供超过10 x高内存带宽相对于离散DRAM今天可用的解决方案。这种级别的带宽需要在数据中心,广播,有线网络和高性能计算系统,处理日益增加的数据量。

阿尔特拉是第一个公司将这3 d堆叠内存技术和FPGA。Stratix 10 DRAM SiP允许用户定制他们的工作负载,实现最高的内存带宽的高效的方式。阿尔特拉目前正在与十几个客户将这些DRAM SiP产品集成到他们的下一代高端系统。

异构SiP产品从阿尔特拉通过使用英特尔嵌入式Multi-Die互连(EMIB)技术的桥梁。EMIB技术使用一个小高性能、高密度硅桥来连接多个死在一个包中。EMIB技术特性死之间很短的痕迹,让阿尔特拉成本效益建立异构SiP设备提供更高性能和更高的吞吐量较低的功率比interposer-based解决方案。

“支持更高的内存带宽要求是我们的许多客户面对的最大挑战是他们实现更多的计算密集型任务系统,如机器学习,大数据分析、图像识别、工作负载加速和8 k视频处理,”丹尼Biran说,公司战略和市场营销的高级副总裁阿尔特拉。“阿尔特拉在一个独特的位置为这些系统需求,结合FPGA行业最高的性能和高带宽的记忆在一个包中。没有其他可编程解决方案可以匹配Stratix 10 DRAM SiP在性能方面,功率效率和内存带宽”。

SK海力士的高带宽内存提供了非常高的带宽在使用更少的力量远远小于形式相比竞争内存解决方案。高带宽内存(HBM2)垂直堆栈DRAM模和互联使用在矽通过(tsv)和microbumps。集成异构的HBM2 SiP实现使阿尔特拉包DRAM内存尽可能接近FPGA死,缩短线路长度和提供最高的内存带宽以最低的权力。

“高性能应用程序驱动行业需求HBM2 DRAM技术。在256 gb-per-second带宽和能源每低66%,HBM2开辟了新的应用领域,以前无法想象的,”Kevin Widmer说SK海力士美国技术营销的副总裁。“结合高性能fpga和HBM2到单个system-in-package代表提供节能的一个重要里程碑,高带宽计算能力。”

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