权力和空间节省20 v chipscale MOSFET

威世根本已经引入了一个新的TrenchFET 20 V n沟道MOSFET chipscale微脚0.8毫米,0.8毫米的包和一个超薄0.357毫米。

为了节省空间,降低功耗,延长电池使用智能手机、平板电脑、可穿戴设备,固态硬盘,和便携式医疗设备,如助听器,威世Siliconix Si8824EDB为任何20 V设备提供最低的导通电阻与1毫米平方或< 0.7毫米平方大纲。

优化使用负荷开关,小信号开关,在电源管理和高速开关应用,75 mΩSi8824EDB特性极低的导通电阻的4.5 V,82 mΩ2.5 V,90 mΩ1.8 V,125 mΩ1.5 V,和175年mΩ1.2 V .这些评级比最接近的竞争对手低25% 20 V MOSFET在一个相同的CSP包,比最接近的竞争对手低65% 20 V设备DFN 1毫米的0.6毫米包。MOSFET的20 V VDS、ESD保护、评级降至1.2 V,和较低的导通电阻提供安全裕度的组合,门驱动设计灵活性和高性能锂离子电池驱动的应用程序。

Si8824EDB提供极低的导通电阻倍面积40 mΩ-mm²-比最接近的竞争对手低28% 20 V MOSFET在DFN 1毫米平方包——为了节省空间和减少电池消耗在移动应用程序。设备的低导通电阻意味着一个非常低的电压降在直流和脉冲峰值电流,因此减少电力浪费热量。MOSFET的2000 V集成ESD保护防止静电损坏处理或人体接触。

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