VVAs提供改进线性在砷化镓产品

集成设备技术引入了两个新成员日益增长的家庭的射频电压可变衰减器(VVA),扩大IDT 1 MHz的频率覆盖范围6 GHz。和家庭的其他成员一样,F2255和F2258设备提供较低的插入损耗和高线性度。

IDT的VVAs为应用程序提供模拟控制需要精确的衰减。新设备在一个紧凑的3毫米3毫米,16-pin TQFN包。他们提供大约一半的插入损耗的竞争解决方案,IP3性能1000 x(30 dB)比竞争砷化镓(砷化镓)设备,他们表现出linear-in-dB衰减特性在电压控制范围。低插入损耗降低射频链路径损耗,而他们的高线性度提高了系统数据率。

这些最新的设备匹配流行的足迹和理想的基站(2 g、3 g和4 g),微波基础设施、公共安全、便携式无线通信/数据设备、测试/吃装备,军事系统,JTRS无线电、高频、甚高频、超高频无线电。

“IDT的硅基射频产品提供特殊性能相比,砷化镓的解决方案,在这种情况下30 db线性改进,”克里斯•斯蒂芬斯表示IDT的射频部门总经理。“这些设备是市场上最低的插入损耗VVAs,和最线性衰减控制的特点。”

通过使用硅基射频半导体技术,IDT的衰减器提供一个健壮的替代老GaAs-based半导体技术。硅技术提供了改进的射频性能的优势以及更健壮的静电放电(ESD)保护,更好的湿度敏感性水平(实验室),改善热性能,降低电流消耗,硅技术的可靠性。

比较的F2258 pin-compatible砷化镓竞争对手,多达65的设备有一个输入IP3 dbm vs 35 dbm,33 db / Volt的最大衰减斜率与53 db /伏;最小回波损耗6000 mhz,12.5 db和7 db;和操作的最大温度范围105 c vs 85 c。F2255设备支持频率范围1 mhz和最大衰减斜率为33 db /伏特。设备都有双向射频端口,支持一个积极3 v或5 v的电源电压,操作温度范围-40到105 c。

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