的固态供应宣布SDRAM的可用性

固态供应已经宣布的一系列同步DRAM内存芯片从联盟内存以硅微米技术。

设备是高速、低压目前DDR3L更快(3双数据速率同步DRAM)内存和三个512 mbit SDRAM芯片相当于100%停止记忆从微米ICs。

适合高密度内存需求的应用程序,但严格限制董事会空间,在AS4C512M16D3L目前内部有96 -球领先(Pb)无FBGA包9 x 14毫米的尺寸。设备内部配置为八个银行的512 x 16位并提供极快转移率高达1600 mbps /销和时钟频率800 mhz。不再需要昂贵的重新设计和requalification一部分,内存提供了一个可靠的dropin pin-for-pin-compatible替代很多类似的设备使用的最新一代微处理器的应用于工业、医疗、网络、电信和航空市场。

AS4C512M16D3L提供完全同步操作,并提供可编程读或写破裂长度的4或8。汽车pre-charge函数提供了一个山顶行pre-charge发起最后的序列。易于使用的功能包括自动刷新或self-refresh,和一个可编程模式寄存器允许系统选择最合适的模式,从而最大限度地提高性能。设备操作从一个+ 1.35 v电源,可在商业温度范围0到+ 95°C(AS4C512M16D3L-12BCN)和工业范围的-40 + 95°C(AS4C512M16D3L-12BIN)。

现在也可以从固态供应三512内部中断了微米技术的设备。这些内部继续通过联盟是由微米制造但提供内存作为一个扩展的可用性这两家公司之间的协议。设备是32 mx16微米号码mt48lc32m16a2p - 75部分:C(联盟零件号AS4C32M16SM-7TCN -商业温度范围),32 mx16微米号码mt48lc32m16a2p - 75部分:C(联盟零件号AS4C32M16SM-7TIN工农业发展温度范围)和64 m x 8微米号码mt48lc64m8a2p - 75部分:C。设备与联盟内存部分相当于对应的数字是100%微米部分,和每个设备在同一晶圆制造/装配和测试材料和硅工艺。

优化医疗、工业、汽车、和电信应用程序内存带宽要求高,以及高性能PC应用程序,更快的提供54-pin TSOP二包,从单一经营+ 3.3 V(±0.3 V)电源和铅(Pb)和无卤。

PC100 PC133-compliant,三个更快提供可编程读或写破裂长度的1,2,4,8,或整页,突然终止的选择。汽车pre-charge函数提供了一个山顶行pre-charge发起最后的序列。易于使用的功能包括自动刷新,或者self-refresh,而可编程模式寄存器允许系统选择最合适的模式来最大化性能。

IO开关http://www.cenxn.com