800 V MOSFET结合效率和热性能

英飞凌科技推出了800 V CoolMOS P7系列。基于superjunction技术,这800 V MOSFET结合了高性能和非凡的易用性。

这个新产品族是一个完美的适合低功耗smp应用,性能完全满足市场需求,易于设计和价格/性能比。它主要侧重于反激变换器拓扑中通常应用适配器,LED照明、音频、工业和辅助动力。

800 V CoolMOS P7系列提供了高达0.6%的效率增益。这转化为2 - 8°C下MOSFET温度比CoolMOS C3或竞争对手部分在典型的回扫应用程序进行测试。这个新的基准测试结果的组合优化设备参数:包括减少超过50%的E oss和Q g,以及减少C iss和C oss。进一步改善性能使高功率密度设计通过降低切换损失和更好DPAK R DS(上)产品。总的来说,这将帮助客户节省BOM成本和减少装配工作。

易用性是一个内在的特性设计的产品族。集成稳压二极管显著提高ESD强度,从而减少委托人相关生产产量的损失。MOSFET容易驱动,设计由于其行业领先V(GS)的th 3 V和最小的GS(th)的变化只有±0.5 V这种组合允许较低的驱动电压和较低的切换损失。此外,它有助于避免无意的操作在线性区域。

800 V的家庭CoolMOS P7场效电晶体可以在12 R DS()类和6个包完全解决目标应用程序的需要。产品R DS(上)280 mΩ,450 mΩmΩ1400和4500 mΩ现在可以订购。

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