Modelithics & IPDiA宣布硅电容协作

Modelithics IPDiA,合作开发IPDiA Modelithics模型的高性能超宽带山表面硅电容。

Modelithics和IPDiA Modelithics的一部分供应商紧密合作伙伴(MVP)计划的10 nF低调(100µm)电容器(UBSC 935 152 492 935)。Modelithics已经开发了两种等效电路模型版本,功能验证67 GHz,基于微带格式的测试提供衬底和垫可伸缩性,而另一个验证110 GHz,使用测试数据获得和共面波导夹具在石英薄膜。这个10 nF硅电容在100µm 0201形式显示以下性能:

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平坦的频率响应(插入损耗< 0.4 dB 67 GHz & < 1.2 dB 110 GHz);

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优秀的回波损耗比-20分贝;

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共振自由由于电容器单层设计50μm厚度;

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零压电效应和低介电吸收(0.05%)至少12倍低于陶瓷电容器;

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超低电气在电压和温度变化(低于1%)。

IPDiA赞助免费90天的许可使用可用的所有Modelithics模型IPDiA电容器,现在也包括在Modelithics完整的图书馆。这包括两个新的等效电路模型版本为0201米(10 nF 100µm厚度,11 V击穿电压),加上Modelithics参数数据模型为其他值和变化的超宽带硅电容系列。

IPDIA模型sub-library现在可以方便安装和使用在五微波仿真工具:Keysight广告,Keysight Genesys,心田;设计环境,ANSYS基于十四行诗套件。

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