高压驱动晶体管阵列在节省空间的包

东芝电子欧洲宣布一系列下一代输出晶体管阵列特性DMOS结构场效应晶体管型水槽的输出。TBD62183AFNG和TBD62183AFWG适合水平转移应用程序直接控制光隔离器,led灯,继电器需要高压输入信号。

TBD62183AFNG和TBD62183AFWG交付高压驱动能力评级30 v的输入和输出率50 v。摘要水槽类型输出合并到小SMD包,使减少组件数量的控制多个电路。

此外,TBD62083A-series IOUT 500 ma / ch TBD2183A-series时为低功率应用程序而设计的最大50 ma / IOUT ch。

通过采用一种DMOS结构场效应晶体管输出,两个新的晶体管阵列消除需要一个基极电流输入插口。设备实现操作低最大输入电流为0.1 ma @VIN = 3 v,同时提供非常低的功耗。他们也有输出特征类似于Vce(坐)达灵顿的双极晶体管的特性,使其适用于取代东芝TD62083A系列串联双极晶体管。

TBD62183AFNG设在一个SSOP18包和TBD62183AFWG SOL18包。目标应用程序包括白色家电冰箱和咖啡机、电池充电器、视频监控系统、LED显示屏和焊接机等工业设备。

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