东芝将n沟道设备添加到U-MOS IX-H MOSFET的家庭

东芝电子欧洲增加了两个新的n沟道设备U-MOS IX-H家族的高效、高速开关mosfet。

TK3R1E04PL TK3R1A04PL可以帮助设计师来提高性能和降低功耗的电源应用,如直流-直流转换器和smp交直流电源的二次侧电路。

TK3R1E04PL(- 220包)和TK3R1A04PL(- 220 - sis包)的最大vds公司评级40 v和可以操作gate-source + / -20 v的电压(vg)。各自的最大直流漏电流100 a和82 a。

设备都有一个典型的低电阻(RDS(上))只有2.5 mΩ(@VGS = 10 v)和一个典型的输出电容(输出电容)1000 pf。这些特性确保有效使用状态操作,快速切换,降低切换损失。

通过提供一个优秀的电阻和电容之间的权衡,TK3R1E04PL和TK3R1A04PL支持在电源应用中最佳性能和效率。这包括同步整流设计,低输出电荷(qos)减少设备对整流功率损耗的贡献。

新的场效电晶体将操作与通道温度高达175ºC,与U-MOS IX-H技术确保稳定运行在一个广泛的温度和负载条件下。

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