ST-MRAM推进-伙伴关系公告。

联合公司的子公司Spin Transfer Technologies (STT)和东京电子(TEL)很高兴地宣布，他们已经签署了一项协议，为下一代SRAM和DRAM-class ST-MRAM设备的合作工程项目。

该协议将进一步推进ST-MRAM，一种新的高性能、持久存储设备，提供以前无法达到的速度、密度和耐力。STT的ST-MRAM技术和TEL先进的PVD MRAM沉积工具的结合将使公司能够快速开发出最高密度和耐力的设备。

这两家公司都在为这个项目分配资源，STT提供高速、高耐力的垂直磁隧道结(pMTJ)设计和设备制造技术，并利用其ST-MRAM沉积工具和具有独特的磁膜形成能力的知识。该协议与每家公司的目标一致，即为嵌入式SRAM提供引人注目的解决方案，并最终实现独立DRAM市场。

SRAM在几乎所有的移动、计算和工业应用中都很普遍。SRAM是一种快速、高耐力的存储器，但它的成本很高，耗电量大，而且不稳定。ST-MRAM更紧凑，成本更低，在存储数据时需要很少的电力，而且是非易失性的，在长时间没有电源的情况下保存数据。进一步的改进，特别是在快速切换和耐力方面，需要完全匹配或超过SRAM性能。

STT和TEL将展示比其他ST-MRAM解决方案更密集的解决方案，同时消除了替换SRAM的障碍。这些低于30nm的pMTJ，比其他商业解决方案要小40%到50%，应该对先进的逻辑- ics有吸引力，并且是朝着制造类的ST-MRAM设备迈出的重要一步。

STT首席执行官汤姆•斯帕克曼表示:“行业已经超越了SRAM和DRAM的能力，为下一代技术打开了市场。”“世界领先的ST-MRAM沉积设备供应商，作为合作伙伴加速了STT技术的发展，取代了SRAM和DRAM。我们相信ST-MRAM的采用将会大大超出目前的预期，我们很高兴能与TEL公司合作，通过实现行业所需的速度、密度和持久性来革新ST-MRAM市场。

我们将与STT的专家团队、设备制造技术和现场开发fab一起，预计将加速SRAM市场高性能、高密度MRAM设备的开发，并最终推动DRAM替代市场的发展。TEL公司薄膜形成业务部门副总裁石川洋一(Yoichi Ishikawa)说。“我们感谢STT认识到我们的先进MRAM沉积系统的性能和选择。”

IO开关http://www.cenxn.com