栅极驱动程序简化了MOSFETs的切换

二极管公司引入了DGD2103M、DGD2104M和DGD2304栅极驱动程序，这些驱动程序具有一个浮动的高侧驱动程序，以简化在半桥式结构中切换两个n通道mosfet或两个IGBTs。

这些驱动装置适用于工业自动化和白色产品中广泛的电机控制和电源应用，这要求AC和直流电机控制板额定在100W以上，以及LLC谐振变换器电源拓扑。

DGD2103M、DGD2104M和DGD2304设备的半桥配置包括高侧(HS)和低侧(LS)驱动，具有高脉冲电流输出，提供低侧(MOSFETs)或IGBTs的有效切换，并提高整体系统效率。通过射击的预防逻辑包括紧密匹配的延迟时间和一个固定的内部死时间，以保护HS和LS电源开关，确保它们不同时打开。浮动高压侧驱动提供高压隔离，允许在功率轨上运行高达600V。

与2.5V的逻辑电平输入兼容，这些栅极驱动程序通过在3.3V MCUs中启用直接PWM控制，进一步简化了电源开关的驱动，而栅极驱动输出运行到VCC电源(10V到20V)，以最小化开关的传导损耗。DGD2103M和DGD2104M优化了施密特触发器输入，避免了噪声电机应用中的误触发;虽然DGD2304提供了更短的内部死时间，通常是100ns，这使它成为高频应用的更好选择。额外的自我保护特性包括一个门驱动，它可以容忍高dV/dt开关产生的负瞬变，以及在低电压条件下避免故障的欠压锁定(UVLO)。

这三个门驱动都是在一个行业标准的SO-8包中提供的，提供了与竞争部件相匹配的pin- in- pin兼容性，但是具有更好的更快的切换性能。

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