IP提供程序创建低功耗的物联网引用

en二氧化硅开发了一个低功率物联网平台，使用SRAM IP专员，sureCore的EverOn和PowerMiser SRAM IP产品线。

sureCore IoT参考平台针对的是可穿戴、消费者和医疗应用。它已经用TSMC的商用40nm超低功耗(40ULP)工艺技术录制出来。半导体和IP提供商解释说，40nm工艺集成了193nm浸入式光刻技术和超低k连接材料，提高了芯片性能，同时降低了功耗。40ULP工艺是专门为物联网和可穿戴设备开发的，将泄漏电流降低高达70%，能耗比TSMC的低功率(LP)过程降低30%。

IoT参考平台包含了低功耗SRAM IP提供商、surecore的EverOn和PowerMiser SRAM IP产品线的派生。该公司研究了传统SRAM架构的基本局限性，以开发专利电路设计、架构技术和辅助电路，并结合铸造供应的高密度SRAM比特单元，在接近阈值的位单元保持电压下运行。该公司表示，还可以实现显著的动态/静态节能。EverOn能够操作与1.21和0.6 v之间的电压供应商用40 ulp流程,跨越的过程,和-40 + 125°C的温度范围内。PowerMiser SRAM家庭提供了超过50%的动态电能节省和大约20%的静态电能节省，而工业标准SRAM可用于商业上的40ULP过程。

EnSilic实现了低功耗参考平台。埃里克·甘恩表示,该公司选择sureCore首席运营官,“证明的经验提供低功耗设计服务。利用阈值附近的一个显而易见的了解电池供电的应用程序设计可以满足客户的期望,我们知道EnSilica tape-out能够进行迅速成功。恩硅对我们技术的技术欣赏，以及对TSMC工艺的深入理解，确保了一条无痛的退出之路。

首席执行官伊恩Lankshear EnSilica补充道:“(sureCore)EverOn和PowerMiser SRAM IPs被证明改变为SoC开发者提供超低功率时,area-efficient记忆和其新,超低功率参考物联网平台似乎犯同样的影响下一代的可穿戴的消费者和医疗应用程序。”

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