双SiC MOSFET驱动器参考设计公布

Richardson RFPD宣布了Microsemi公司的新型SiC MOSFET驱动参考设计的可用性和完整设计支持能力。

MSCSICMDD/REF1的设计目的是提供一个可靠的参考驱动解决方案，一种在许多不同拓扑中评估碳化硅mosfet的方法，以及一种用于评估设备性能的参数测试方法。

新的评估板只需要一个+ 24v的电源输入，并优化驱动SiC设备在高速与去饱和保护。它是一个基础设计，可以根据不同的系统需求进行简化。

根据Microsemi, MSCSICMDD/REF1的其他关键特性包括:

可调- 5v到+ 20v输出门驱动器

在两个门驱动器上超过2000 V的电流隔离

每侧驱动功率可达6w;8w修改

最高输出电流为30a

最大开关频率大于400khz

单端或RS485/RS422差分输入门控制

通过(短路)保护

+ / - 100 kV /µS能力

可编程序死时保护

故障信号

欠压保护

跷板开关http://www.cenxn.com