SST公布嵌入式SuperFlash资质

微芯片技术宣布SST的第三代嵌入式超级闪存(ESF3)在110nm互补金属氧化物半导体(CMOS)平台上的资格和可用性。

SST的嵌入式超级闪存解决方案为智能卡、微控制器(MCU)和其他支持Flash的专业IC设计人员提供了低功耗、高可靠性、高数据保存性和高耐久性的优点，具有高性价比的嵌入式闪存解决方案。在智能卡应用程序中，快速的擦除时间和低功耗提供了一个独特的低能量包，这对于支持低功耗应用程序如近场通信(NFC)和双接口智能卡至关重要。

SST的ESF3技术首次在8英寸110nm CMOS平台上为无晶圆厂和集成器件制造商(IDMs)提供了高性价比的支持。这个ESF3平台有30万次的擦除和程序周期，非常适合智能卡和其他高耐久性IC设计。

“低功耗ESF3技术与先进的110nm制程节点相结合，开启了令人兴奋的新产品机遇，特别是对于安全的智能卡市场，”SST全球营销和业务开发总监Vipin Tiwari说。“现在，那些需要低功耗、高耐久性嵌入式Flash的客户可以通过使用这种主流的8英寸CMOS平台来降低生产成本。”

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