东芝电子发射小型600 v superjunction功率场效应管

东芝电子欧洲宣布下一代superjunction(SJ)DTMOS-IV功率MOSFET技术正在提供第一次在小轮廓,低调的DFN包装。

新的600 v DTMOS-IV mosfet在DFN包将理想的高速开关电源、照明镇流器和其他应用程序需要一个节省空间的选择更传统的D2PAK和DPAK设备。

提供当前的评级从9.7到30多一个,新设备在TKxV60W家族的600 v mosfet有超低电阻(RDS())的评分从0.38Ω仅0.098Ω。

一个领先的RDS()图的优点确保高效率开关而低输出电容(输出电容)支持优化操作在轻负载。每个设备还包含一个额外的意义上销为直接驱动连接。

根据东芝,DTMOS-IV过程提供一个更好的温度场效电晶体,展览RDS()系数比替代设备。

这允许效率效益意识到即使在高温操作。与其它设备在东芝的DTMOS-IV家庭,新的DFN场效应管有一个优化门排水电容(Cgd),提供改进的dv / dt开关控制。支持dv / dt低评级也有助于减少的趋势在高速开关线路振铃。

在8毫米x 8毫米了DFN包有一个轮廓,是20%小于一个D2PAK包。一个概要文件只有0.85毫米几乎是三倍低于传统的DPAK和5次以上低于一个D2PAK。

东芝采用深沟过程在其DTMOS-IV第四代单外延superjunction MOSFET。这允许接近沟距比第三代(多外延)过程,导致30%更好的开态电阻对于一个给定的死区。

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