电子产品研究开发铱替代

2013年11月15日

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一个国际科学家小组已经启动了一个€4.6 m项目开发新的材料来代替铱中常用的磁存储设备。

根据纽约大学,所有自旋电子设备使用一个铱合金,包括硬盘驱动器和下一代磁记忆。价格上升的铱,然而,由于稀缺的金属和增加占用这些新技术的价格已经上升,铱

根据欧盟支持的项目,研究团队——包括和康斯坦茨大学、德国比勒费尔德,布达佩斯技术与经济大学,匈牙利和英国麦金托什顾问,以及纽约大学的部门的电子和物理-打算开发赫斯勒合金电影提供具成本效益的替代铱。

欧洲科学家合作密切与一位日本教授领导的研究小组从东北大学Takanashi引人,总的来说,该计划将导致更多的欧洲日本在这一领域合作的材料研究。

项目协调员Atsufumi Hirohata科学博士,来自纽约大学的电子系,说:“人们普遍认识到,自旋电子技术将取代挥发性半导体存储器技术在未来的十年。因此,缺少可用的一个至关重要的元素在元素周期表是一个亟需解决的关键问题。

的价格已经上升了一个因子铱的四个在过去的五年,超过10倍,在过去的十年。它有望飙升了100倍也许由于其广泛的应用。

这个团队将使用高分辨率(扫描)透射电子显微镜和高度敏感的电和磁测量设施来满足目标的四年计划的。

在一份声明中,教授Takanashi说:“我的同事在高能加速器研究组织在筑波和我的员工在日本东北大学兴奋,处理这样的名牌大学在欧洲在这个挑战性但至关重要的研究。铱是这样一个稀有金属——两次一样罕见黄金在地壳中,依靠它来这样一个关键的未来技术代表了一个非常高的风险策略。

“我们的研究项目将直接影响这个关键材料通过提供一种改进的理解的一个广泛的三元合金类,我们将努力寻找新的材料和新的成分合金的赫斯勒取代需要铱在自旋电子器件。

赫斯勒合金的替代铱(HARFIR)项目已收到€1.8米在欧盟资助,资助匹配日本科学技术振兴机构。

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