东芝冷却场效电晶体

东芝电子欧洲(三通)宣布,其高效、低压MOSFET技术现在可用在超小型DSOP提前包选项。

新包提供网上同时显著提高散热冷却。这将有助于high-component-density应用程序的设计者PCB温度降到最低,提高性能没有板空间处罚。

DSOP提前包共享相同的5毫米x 6毫米足迹SOP推进装置。比较测试操作温度,当与一个合适的结合使用散热片- 30 v mosfet在电流超过30减少34%以上。此外,在一些设计的减少热阻DSOP包可能支持消除散热器。

东芝将提供DSOP提前包以其现有umo VIII-H及其新umo IX-H MOSFET技术的家庭。这些技术结合行业领先的阻力(RDS(上))评级较低的输出电容提供高效切换性能。DSOP推进选项可以的场效应管电压等级的最初30 v到100 v。

目标应用程序为新DSOP推进场效电晶体将包括高功率密度、高性能开关设计包括同步整流电路在服务器和电信电源设备,以及电动工具。