东芝声称MOSFET和更高的效率

东芝电子欧洲引入了第一个基于其高电压800 v电力MOSFET DTMOS IV超级连接技术。

TK17A80W使用东芝的单一外延工艺,适合设备要求高可靠性、功率效率和紧凑的设计。

应用程序将包括电源和适配器,飞回来转换器和LED照明设备。

多外延过程相比,东芝的深沟技术提供了较低的导通电阻(RDS(上))在更高的温度。

它还提供了减少断开开关损失(eos)比先前技术代。的结合减少增加RDS(上)在高温和减少eos为电力供应提供了更高的效率和帮助设计师在最小化系统的大小。

第四DTMOS使更快的开关性能通过减少门之间的寄生电容和下水道。典型独联体TK17A80W只有1450 pf(@VDS = 300 v,f = 100 khz)。最大800 vds公司评级,17±30 vg和漏极电流。最大RDS(上)是0.3欧姆。

TK17A80W开始大规模生产在2014年第四季度完全孤立- 220 - sis包。样品现在是可用的。进一步的性能选项和- 220,DPAK和IPAK包。