双功率MOSFET 12 v的设计

国际整流器介绍了IRFH4257D FastIRFET双功率MOSFET安置在高性能4 x5 PQFN权力集团包。

新包选项扩大权力阻止家族的能力降低功率输入直流-直流12 v的紧凑设计同步巴克应用包括先进的电信和网通设备、服务器、图形卡、桌面,ultrabook笔记本电脑。

红外IRFH4257D特性的最新一代硅和专用包装技术,提供了优良的热性能,低开态电阻(RDS())和门(Qg)。

这些特性提供优良的功率密度,降低切换损失在紧凑的4 x5权力集团。

与所有的红外FastIRFET设备,IRFH4257D与任何控制器或驱动程序提供的灵活性而提供高电流、效率和频率在单相或多相的应用能力。

现在,外加IRFH4257D,设计师可以选择选择一个4 5 x5和x6 PQFN来满足设计要求。

IRFH4257D是合格的工业品位和水分敏感性等级1(MSL1)和环保特性,无铅和通过无铅认证材料清单。