东芝推出下一代低压mosfet

东芝电子欧洲(三通)宣布其最新的家庭的低压,ultra-efficiency Trench-MOSFETs基于公司的下一代U-MOS IX-H半导体过程。

新mosfet承诺行业领先RDS(上)QOSS(电阻输出充电产品)这类设备的品质因数。最初在40 v版本可用,家庭在未来几个月将扩展设备提供30 v 60 v的评级。

第一个设备系列的典型RDS(上)只有0.7 mΩ(max 0.85 mΩ)和一个典型的输出电容(输出电容)1930 pf。额定40 v,TPHR8504PL提供在一个ultra-miniature SOP-Advance包仅5毫米x 6毫米

目标应用程序第九代U-MOS家庭包括直流-直流转换器、同步整流和其他电源管理电路低功耗运行,高速开关和最小PCB房地产是必要的。

U-MOS IX-H mosfet非常适合高端和下部开关直流-直流转换器和二次侧同步整流的交直流转换电路。通过改善RDS(上)一个值,U-MOS IX-H技术支持模大小减少65%相同的RDS(上)——或RDS(上)减少65%相比,同样的模具尺寸40 v UMOS VI-H一代。此外,一个更好的输出电荷之间的权衡(Qoss)和RDS(上)会增加效率。因此U-MOS IX-H场效电晶体可以帮助设计师来减少能耗和设备的尺寸。

设计师可以选择从各种各样的表面安装包,在未来,还一个选项,提供dual-side冷却。

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