在半揭示“行业领先”n沟道mosfet

在半导体也引入了一个新的家庭6 n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)的设计和优化提供业界领先的效率相比,市场上现有的设备。

新NTMFS4Hxxx和mosfet NTTFS4Hxxx系列适合作为开关设备广泛的应用程序包括服务器和网络设备和高功率密度直流-直流转换器,或支持同步整流point-of-load(PoL)模块。版本的这些场效电晶体都可以有或没有一个集成肖特基二极管,可以帮助工程师达到更大的效率。

在半导体宣称一流RDSon性能0.7 milliohms(mΩ)和低的输入电容3780 picofarads(pF)确保传导,切换和司机损失最小化。

据该公司介绍,也被仔细的考虑,以确保mosfet提供改进的热力性能和较低的包电阻和电感相比,现有的设备。

“最佳整体效率来源于最小化损失通过传导和非常高的愿望列表切换设计师越来越多的终端市场,”保罗·伦纳德说,副总裁和总经理在半导体功率离散的产品。“通过利用我们的过程,材料和包装专业知识我们能够推进功率场效应管的性能提高到一个新的水平,这将帮助我们的客户实现他们的严格的设计性能目标。”

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