台积电GUC公布前16 nm IP

全球Unichip已经成功证明16纳米硅DDR4 IP在台积电,这使得GUC最早的IP可供台积电的16 nm FinFET(16 ff)的过程。

新16 ff DDR4 PHY IP运行高达每秒3.2 gb(Gbps),增加50%的速度超过前代DDR3 IP,同时减少能量以同样的速度增长了25%。

它充分利用16台积电的ff过程,实现3.5 gbps速度外环回测试和运行写/读操作2.7 gbps,2.4 gbps DDR4 DRAM成功。

的new16FF DDR4 IP特性DRAM链接起来,堆芯功率减少40%相比,在相同的速度DDR3 IP 28 nm制程技术。GUC 16个ff DDR4 IP结果第一次亮相,台积电北美技术研讨会4月22日,2014年。

16 ff DDR4 IP层是建立在物理层的培训模式,容易靴子,节省计算时间和优化数据选通定位。规范用于测试芯片还呼吁使用ASE的倒装芯片方案(FCBGA)和多层建立基质由南亚PCB制造。新的IP目标多种高速网络和服务器应用程序。

“这16 ff DDR4 IP代表一个真正的设计突破。是最高的性能DDR4 IP目标台积电的16 nm制程和代表早期先进技术设计人员开始工作的机会在他们的下一代设备,”吉姆·赖说总统GUC。

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