串行接口NAND闪存使用3 d技术

 

东芝电子欧洲推出了一个新的阵容24海里SLC NAND闪存产品为嵌入式应用程序兼容广泛使用的串行外围接口,SPI。

 

东芝公司是全球最大的NAND闪存供应商之一,这个新添加进一步增加他们的投资组合。四日市操作供应世界上三分之一的NAND闪存的供应。

 

东芝公司开发了世界上第一个48层3 d闪存,这阵容使用这种新技术。新技术提高耐力和提供更高密度的水平。它还提供了更低的功率和更高的速度,使未来的架构的一个关键技术。

 

 

 

 

开发新的3 d闪存技术需要一个重大投资,因为实现它并不是一个微不足道的任务。不过性能回报同意是值得的。

 

预计将会有很多新的串行接口申请NAND闪存技术。这些将包括:消费者的应用,如平板电视、打印机、可穿戴设备,包括工业机器人和工业应用。

 

新的串行接口的新阵容NAND Flash技术跨越1 gbit密度,2 gbit和4 gbit和SOP(10.3毫米x 7.5毫米)或WSON(6.0毫米x 8.0毫米)包。每个密度/设备组合可选择的输入电压1.8 v和3.3 v的兼容性。

 

高速连续阅读功能,嵌入式ECC(纠错代码)位翻转报告功能和嵌入式数据保护功能保证数据可以快速而安全地存储和访问安全。串行外围接口允许设备控制只用六针,给用户提供一个SLC NAND闪存低销数,小包装和大容量。

 

串行接口与非也更低的成本比传统上用于嵌入式应用程序或闪存解决方案。

 

为了使嵌入式设备匹配客户的功能需求增加,需求增加密度更大的内存。

 

这是驾驶需求增加存储的软件(包括启动项目、固件和嵌入式操作系统)和数据(包括日志数据),导致产品设计师转向SLC NAND闪存的高密度和高可靠性。

AC插座http://www.cenxn.com