定制的固态继电器解决方案基于CMOS隔离技术

硅实验室引入了一种cmos的孤立的场效应晶体管(FET)司机的家人,使开发人员能够使用特定于应用程序的选择,高容量的场效应晶体管取代过时的机电式继电器(电子病历)和optocoupler-based固态继电器(SSRs)。

Si875x家族的新特性第一隔离场效应晶体管驱动设计转换功率在一个集成CMOS隔离屏障,不再需要孤立二级交换机一端电力供应和降低系统成本和复杂性。当搭配一个离散的场效应晶体管,Si875x司机提供优秀的EMR / SSR电机和阀门控制器的替代解决方案,HVAC继电器、电池监测、AC电源线路和通讯开关、戊肝病毒/电动汽车充电系统,和其他工业和汽车应用。

开发人员通常使用电子病历和optocoupler-based SSRs在切换应用程序中,和两个技术有局限性。电子病历是昂贵的,缓慢的,笨重而且吵了。这些缺点驾驶SSR使用两位数增长,但即使SSRs构成挑战。Optocoupler-based SSRs的固有局限性,如短寿命由于老化,性能和稳定性在更高的温度,减少和降低噪声免疫力。他们也用一个有限的选择场效应晶体管集成,进一步影响性能、成本和权力。

实验室的硅cmos Si875x隔离场效应晶体管驱动程序提供一个更好的选择,降低了应用系统和电力成本和提高性能的SSRs或电子病历。自Si875x司机不要使用发光二极管或光学组件,它们提供了优越的稳定性随时间和温度。小型Si875x设备提供完全沉默的切换,使他们理想的替代解决方案笨重的电子病历,受限于电气开关噪声和磨损问题,以及大规模生产的挑战。

Si875x设备驱动场效应晶体管盖茨名义10.3 V使用很低1 mA输入为1.1 ms开机时间。输入电流增加到10马使94µs异常快速开机时间。一个独特的力量优化选择提供最大刺激电流速度快,然后降低90%的静态保持电流一旦可选的外部限制排放。灵活的2.25 V至5.5 V输入侧电压支持无缝连接到低功耗控制器。Si875x司机还功能可选米勒夹的能力,以防止意外打开外部的场效应晶体管。

Si875x设备2.5 kVrms隔离等级,可以在完整的工业和汽车的温度范围(+ 125摄氏度),旨在满足严格的UL,CSA,VDE,CQC标准。多功能输入提供数字CMOS销控制(Si8751设备)或二极管仿真(Si8752设备)最适合目标应用程序,和灵活的输出支持交流和直流负载配置。

“健壮的独特组合,可靠cmos的隔离技术和革命性的能力转换功率隔离屏障,硅实验室的Si875x司机提供急需的过时的电子病历和optocoupler-based SSRs的替代解决方案,”副总裁罗斯Sabolcik说硅实验室的电源产品。“新Si875x家庭给开发人员灵活地选择一个有效的场效应晶体管定制他们的应用程序的需求,创建一个简单的迁移到先进的固态开关。”

Si875x隔离场效应晶体管驱动家庭集锦

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第一个CMOS isolation-based SSR的解决方案,支持应用程序特定的场效应晶体管

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优秀的噪声免疫力,高可靠性和2.5 kVrms隔离评级

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在高压条件下长寿命在1000 V(100年)

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高效的切换:10.3 V门口只有1 mA的输入电流

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宽输入电压为2.25 V至5.5 V使电能节约

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独特的销功能优化功耗/开关时间的权衡

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米勒夹紧防止意外打开外部场效应晶体管

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小SOIC-8包集成隔离和功率电容器低功耗应用

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AEC-Q100-qualified生产设备选项

样本Si875x隔离场效应晶体管驱动现在是可用的数量与生产计划在2016年11月。Si875x设备进来一个小SOIC-8包装工业(-40˚C + 105˚C)或汽车(-40˚C + 125˚C)环境温度工作范围的选择。

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