600 V E系列功率MOSFET降低传导

Vishay Intertechnology在其第四代600 V E系列功率mosfet中推出了第一款器件。

Vishay Siliconix n-channel SiHP065N60E为电信、工业和企业供电应用提供了高效率，与之前的600 V E系列mosfet相比，Vishay Siliconix n-channel SiHP065N60E降低了30%的通电阻，同时降低了44%的门禁费用。这就导致了最低的栅极充电次数的通电阻，这是一个关键的数字优点(FOM)为600 V mosfet用于功率转换应用。

Vishay市场开发高级总监David Grey说:“我们致力于为客户提供广泛的MOSFET技术，支持从高压输入到最新电子系统所需的低压输出的所有功率转换过程。”“通过SiHP065N60E和即将推出的第四代600 V E系列，我们正在解决在电力系统架构的第一阶段——功率因数校正和随后的高压DC/DC转换器模块——对效率和功率密度的改进需求。”

建立在威世的最新节能E系列superjunction技术,SiHP065N60E特性最大导通电阻低0.065Ω10 V和超低门口收取49数控。2.8Ω*数控设备的FOM的比最接近的竞争对手低25% MOSFET在同一个班。为了提高开关性能，SiHP065N60E分别提供了93 pf和593 pf的低有效输出电容Co(er)和Co(tr)。在电信、工业和企业电力系统的功率因数校正和硬交换DC/DC转换器拓扑中，这些值转化为降低传导和开关损耗以节省能源。

在to - 220ab包中提供，今天发布的设备是rohs兼容的，无卤素的，设计用于承受雪崩模式下的过电压瞬变，通过100%的UIS测试保证了极限。

SiHP065N60E的样品和生产数量已经有了，交货时间为10周。

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