理查森RFPD袜1000 V、120 mΩ碳化硅功率MOSFET

理查森RFPD已经宣布C3M0120100K碳化硅功率MOSFET的可用性和全部设计支持能力，从狼速，一个Cree公司。

1000 V,120 mΩWolfspeed C3M SiC MOSFET的科技设备特性和可优化的四位主演- 247 - 4包与一个单独的驱动程序源代码销。其特点是漏极与源之间的漏电距离为8mm，通阻低的高阻塞电压，低电容的高速开关，低反向恢复的内部二极管(Qrr)快。

适用于可再生能源、电动汽车蓄电池充电器、高压直流/直流转换器、开关电源等领域。

C3M0120100K的主要特点包括:

漏源电压(Vds max): 1000v

连续漏电流(Id)在25°C:22

mΩRds(上):120

门总费用(Qg): 21.5 nC

最大结温:150°C

输出电容(Coss): 40pf

反向回收费用(Qrr): 154 nC

反向恢复时间(Trr): 16ns

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