硅电容器实现了破坏性技术

RS组件(RS)已经从村田公司(Murata)推出了一系列新型的硅电容器，它们实现了一种创新的、颠覆性的技术。

Murata的专利技术集成了被动式解决方案，使得硅中电容值的集成范围更广，从而使该范围适用于许多需要高性能和微型化的应用。SiCap范围内的高要求应用包括空间受限的设计，特别是超宽带设计，以及射频/微波和高温应用。

Murata SiCaps提供了更好的温度、电压和老化性能稳定性，超过了其他电容器技术提供的稳定性，使它们非常适合以稳定性和可靠性为主要参数的高要求应用。这些产品和系统需要非常可靠的部件，如航空、航空电子设备和汽车市场，以及医疗植入物。

基于嵌入在单晶基片上的整体结构，高密度硅电容器已经使用金属氧化物半导体(MOS)工艺开发，并使用第三维度(或高度)来大幅增加表面积——因此增加电容——而不增加器件的足迹。

日本村田公司的SiCap范围包括低调的设备不足100µm厚为解耦等重要空间内应用IC脱钩或MOS-based传感器、宽带模块和射频识别产品。也有高温类型可以处理多达250°C稳定性高;超宽带类型的信号高达60GHz+;生产技术和高可靠性的医疗和电容器内部应用程序到200°C。

该系列的其他关键特性包括更短的互连，用于较低的封装寄生虫，以及与所有封装或装配配置的兼容性，包括连接线、碰撞、层压板、引擎盖和晶片级芯片级封装。

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